電阻率是反映半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的重要參數(shù)之一。測(cè)量電阻率的方法很多，四探針?lè)ㄊ且环N廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法。它的優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便，度高，對(duì)樣品的形狀無(wú)嚴(yán)格要求。
電阻率測(cè)試儀是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料及工藝硅片的電阻率，或擴(kuò)散層及外延層方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。一般的四探針電阻率測(cè)試儀均已配置厚度的修正，通過(guò)厚度數(shù)值的設(shè)置，計(jì)算出不同的樣品厚度對(duì)電阻率的影響。
四探針電阻率測(cè)試儀檢定的技術(shù)要求
1、整體方法檢定電阻率測(cè)試儀的標(biāo)準(zhǔn)樣片，表面應(yīng)沒(méi)有任何臟物，長(zhǎng)期使用應(yīng)注意定期清洗(按標(biāo)準(zhǔn)樣片使用說(shuō)明中規(guī)定的方法清洗)，以保持樣片表面的清潔。
*測(cè)量時(shí)用表中所列的樣片，如發(fā)現(xiàn)電流表示值調(diào)不上去或其中有一個(gè)表示值超過(guò)zui大值時(shí)，則需要更換一個(gè)名義值較大的標(biāo)準(zhǔn)樣片。如1Ω·cm需換成5Ω·cm。
2、用模擬電路法檢定四探針測(cè)試儀電氣部分的V/I比時(shí)，電阻r和R有如下要求。
模擬電路法的電阻計(jì)算公式如下：
式中：Vav-電流正反向測(cè)量r上電壓降的平均值;
Rs-標(biāo)準(zhǔn)電阻值;
Vsv-標(biāo)準(zhǔn)電阻上的電壓降平均值;
Iav-正反向電流的平均值。
3、各種型號(hào)的四探針電阻率測(cè)試儀技術(shù)指標(biāo)，應(yīng)符合出廠技術(shù)說(shuō)明書(shū)的要求。
四探針電阻率測(cè)試儀的檢定環(huán)境條件
電阻率測(cè)試儀的檢定應(yīng)在恒溫清潔室內(nèi)進(jìn)行。檢定前，儀器和所用的標(biāo)準(zhǔn)儀器設(shè)備應(yīng)在恒溫室內(nèi)旋轉(zhuǎn)12h以上。在檢定過(guò)程中發(fā)現(xiàn)有靜電感應(yīng)或泄漏電流的現(xiàn)象，則應(yīng)采取相應(yīng)的屏蔽或接地措施消除。
